Как известно, оперативная память вкладывает большую составляющую в производительность компьютера. И понятно, что пользователи стараются увеличить объем оперативной памяти по максимуму.
Если года 2-3 назад на рынке было буквально несколько типов модулей памяти, то сейчас их значительно больше. И разобраться в них стало сложнее.
В этой статье мы рассмотрим различные обозначения в маркировке модулей памяти, чтобы вам проще в них было ориентироваться.
Для начала введем ряд терминов, котоыре нам понадобятся для понимания статьи:
- планка ("плашка") - модуль памяти, печатная плата с микросхемами памяти на борту, устанавливаемая в слот памяти;
- односторонняя планка - планка памяти, у которой микросхемы памяти расположены с 1 стороны модуля.
- двухсторонняя планка - планка памяти, у которой микросхемы памяти расположены с обоих сторон модуля.
- RAM (Random Access Memory, ОЗУ) - память с произвольным доступом, проще говоря - оперативная память. Это энергозависимая память, содержимое которой теряется при отсутствии питания.
- SDRAM (Synchronous Dynamic RAM) - синхронная динамическая оперативная память: все современные модули памяти имеют именно такое устройство, то есть требуют постоянной синхронизации и обновления содержимого.
Рассмотрим маркировки
- 4096Mb (2x2048Mb) DIMM DDR2 PC2-8500 Corsair XMS2 C5 [TWIN2X4096-8500C5] BOX
- 1024Mb SO-DIMM DDR2 PC6400 OCZ OCZ2M8001G (5-5-5-15) Retail
Объем
Первым обозначением в строке идет объем модулей памяти. В частности, в первом случае это - 4 ГБ, а во втором - 1 ГБ. Правда, 4 ГБ в данном случае реализованы не одной планкой памяти, а двумя. Это так называемый Kit of 2 - набор из двух планок. Обычно такие наборы покупаются для установки планок в двухканальном режиме в параллельные слоты. Тот факт, что они имеют одинаковые параметры, улучшит их совместимость, что благоприятно сказывается на стабильности.
Тип корпуса
DIMM/SO-DIMM - это тип корпуса планки памяти. Все современные модули памяти выпускаются в одном из двух указанных конструктивных исполнений.
DIMM (Dual In-line Memory Module) - модуль, у которого контакты расположены в ряд на обоих сторонах модуля.
Память типа DDR SDRAM выпускается в виде 184-контактных DIMM-модулей, а для памяти типа DDR2 SDRAM выпускаются 240-контактные планки.
В ноутбуках используются модули памяти меньших габаритов, называемые SO-DIMM (Small Outline DIMM).
Тип памяти
Тип памяти - это архитектура, по которой организованы сами микросхемы памяти. Она влияет на все технические характеристики памяти - производительность, частоту, напряжение питание и др.
На данный момент используется 3 типа памяти: DDR SDRAM, DDR2 SDRAM, DDR3 SDRAM. Из них DDR3 - самые производительные, меньше всего потребляющие энергии.
Частоты передачи данных для типов памяти:
- DDR: 200-400 МГц
- DDR2: 533-1200 МГц
- DDR3: 800-2400 МГц
Цифра, указываемая после типа памяти - и есть частота: DDR400, DDR2-800.
Модули памяти всех типов отличаются напряжением питания и разъемами и не позволяют быть вставленными друг в друга.
Частота передачи данных характеризует потенциал шины памяти по передаче данных за единицу времени: чем больше частота, тем больше данных можно передать.
Однако, есть еще факторы, такие как количество каналов памяти, разрядность шины памяти. Они также влияют на производительность подсистем памяти.
Для комплексной оценки возможностей RAM используется термин пропускная способность памяти. Он учитывает и частоту, на которой передаются данные и разрядность шины и количество каналов памяти.
Пропускная способность (B) = Частота (f) x разрядность шины памяти (c) x кол-во каналов (k)
Например, при использовании памяти DDR400 400 МГц и двухканального контроллера памяти пропускная способность будет:
(400 МГц x 64 бит x 2)/ 8 бит = 6400 Мбайт/с
На 8 мы поделили, чтобы перевести Мбит/с в Мбайт/с (в 1 байте 8 бит).
Стандарт скорости модуля памяти
В обозначении для облегчения понимания скорости модуля указывается и стандарт пропускной способности памяти. Он как раз и показывает, какую пропускную способность имеет модуль.
Все эти стандарты начинаются с букв PC и далее идут цифры, указывающие пропускную способность памяти в Мбайтах в секунду.
| Название модуля |
Частота шины |
Тип чипа |
Пиковая скорость передачи данных |
| PC2-3200 |
200 МГц |
DDR2-400 |
3200 МБ/с или 3.2 ГБ/с |
| PC2-4200 |
266 МГц |
DDR2-533 |
4200 МБ/с или 4.2 ГБ/с |
| PC2-5300 |
333 МГц |
DDR2-667 |
5300 МБ/с или 5.3 ГБ/с1 |
| PC2-5400 |
337 МГц |
DDR2-675 |
5400 МБ/с или 5.4 ГБ/с |
| PC2-5600 |
350 МГц |
DDR2-700 |
5600 МБ/с или 5.6 ГБ/с |
| PC2-5700 |
355 МГц |
DDR2-711 |
5700 МБ/с или 5.7 ГБ/с |
| PC2-6000 |
375 МГц |
DDR2-750 |
6000 МБ/с или 6.0 ГБ/с |
| PC2-6400 |
400 МГц |
DDR2-800 |
6400 МБ/с или 6.4 ГБ/с |
| PC2-7100 |
444 МГц |
DDR2-888 |
7100 МБ/с или 7.1 ГБ/с |
| PC2-7200 |
450 МГц |
DDR2-900 |
7200 МБ/с или 7.2 ГБ/с |
| PC2-8000 |
500 МГц |
DDR2-1000 |
8000 МБ/с или 8.0 ГБ/с |
| PC2-8500 |
533 МГц |
DDR2-1066 |
8500 МБ/с или 8.5 ГБ/с |
| PC2-9200 |
575 МГц |
DDR2-1150 |
9200 МБ/с или 9.2 ГБ/с |
| PC2-9600 |
600 МГц |
DDR2-1200 |
9600 МБ/с или 9.6 ГБ/с |
| Тип памяти |
Частота памяти |
Время цикла |
Частота шины |
Передач данных в секунду |
Название стандарта |
Пиковая скорость передачи данных |
| DDR3-800 |
100 МГц |
10.00 нс |
400 МГц |
800 млн |
PC3-6400 |
6400 МБ/с |
| DDR3-1066 |
133 МГц |
7.50 нс |
533 МГц |
1066 млн |
PC3-8500 |
8533 МБ/с |
| DDR3-1333 |
166 МГц |
6.00 нс |
667 МГц |
1333 млн |
PC3-10600 |
10667 МБ/с |
| DDR3-1600 |
200 МГц |
5.00 нс |
800 МГц |
1600 млн |
PC3-12800 |
12800 МБ/с |
| DDR3-1800 |
225 МГц |
4.44 нс |
900 МГц |
1800 млн |
PC3-14400 |
14400 МБ/с |
| DDR3-2000 |
250 МГц |
4.00 нс |
1000 МГц |
2000 млн |
PC3-16000 |
16000 МБ/с |
| DDR3-2133 |
266 МГц |
3.75 нс |
1066 МГц |
2133 млн |
PC3-17000 |
17066 МБ/с |
| DDR3-2400 |
300 МГц |
3.33 нс |
1200 МГц |
2400 млн |
PC3-19200 |
19200 МБ/с |
В таблицах указываются именно пиковые величины, на практике они могут быть недостижимы.
Производитель и его part number
Каждый производитель каждому своему продукту или детали дает его внутреннюю производственную маркировку, называемую P/N (part number) - номер детали.
Для модулей памяти у разных производителей она выглядит примерно так:
- Kingston KVR800D2N6/1G
- OCZ OCZ2M8001G
- Corsair XMS2 CM2X1024-6400C5
На сайте многих производителей памяти можно изучить, как читается их Part Number.
Модули Kingston семейства ValueRAM:
Модули Kingston семейства HyperX (с дополнительным пассивным охлаждением для разгона):
По маркировке OCZ можно понять, что это модуль DDR2 объемом 1 Гбайт, частотой 800 МГц.
По маркировке CM2X1024-6400C5 понятно, что это модуль DDR2 объемом 1024 Мбайт стандарта PC2-6400 и задержками CL=5.
Некоторые производители вместо частоты или стандарта памяти указывают время в нс доступа к чипу памяти. По этому времени можно понять, какая используется частота.
Так поступает Micron: MT47H128M16HG-3. Цифра в конце обозначает, что время доступа - 3 нс (0.003 мс).
По известной форуме T=1/f частота работы чипа f=1/T: 1/0,003 = 333 МГц.
Частота передачи данных в 2 раза выше - 667 МГц.
Соответственно, данный модуль DDR2-667.
Тайминги
Тайминги - это задержки при обращении к микросхемам памяти. Естественно, чем они меньше - тем быстрее работает модуль.
Дело в том, что микросхемы памяти на модуле имеют матричную структуру - представлены в виде ячеек матрицы с номером строки и номером столбца.
При обращении к ячейке памяти считывается вся строка, в которой находится нужная ячейка.
Сначала происходит выбор нужной строки, затем нужного столбца. На пересечении строки и номера столбца и находится нужная ячейка. С учетом огромных объемом современной RAM такие матрицы памяти не целиковые - для более быстрого доступа к ячейкам памяти они разбиты на страницы и банки.
Сначала происходит обращение к банку памяти, активизация страницы в нем, затем уже происходит работа в пределах текущей страницы: выбор строки и столбца.
Все эти действия происходит с определенно задержкой друг относительно друг друга.
Основные тайминги RAM - это задержка между подачей номера строки и номера столбца, называемая временем полного доступа (RAS to CAS delay, RCD), задержка между подачей номера столбца и получением содержимого ячейки, называемая временем рабочего цикла (CAS latency, CL), задержка между чтением последней ячейки и подачей номера новой строки (RAS precharge, RP). Тайминги измеряются в наносекундах (нс).
Эти тайминги так и идут друг за другом в порядке выполнения операций и также обозначаются схематично 5-5-5-15. В данном случае все три тайминга по 5 нс, а общий рабочий цикл - 15 нс с момента активизации строки.
Главным таймингом считается CAS latency, который часто обозначается сокращенно CL=5. Именно он в наибольшей степени "тормозит" память.
Основываясь на этой информации, вы сможете грамотно выбрать подходящий модуль памяти.
Сервис-инженер, Александр Дудкин
Читать все статьи...
